Le premier est celui des techniques d’élaboration des couches minces, ces dernières se présentent sous deux grandes familles, les techniques d’élaboration par voie chimique (CVD), et les techniques d’élaboration par voie physique (PVD). Les techniques CVD sont des procédés chimiques caractérisés par un coût et une consommation  d’énergie faibles ainsi qu’une simplicité relative de leurs montages. Cependant la haute pureté des produits chimiques utilisés et le nettoyage strict du matériel se présentent comme la difficulté majeure de ces procédés. Les techniques PVD sont des procédés exigeant un matériel lourd, elles sont coûteuses, gourmandes en énergie et techniquement compliquées, mais la qualité des couches élaborées est meilleure.

Il faut noter que chaque technique d’élaboration s’adapte avec une catégorie de matériaux. Dans notre contexte les matériaux ciblés sont essentiellement des semiconducteurs polycristallins de type III-V, II-VI et chalgogénures de métaux de transition.

Le deuxième volet est relatif aux techniques de caractérisation des couches minces, nous citons par catégorie et par ordre de priorité :

– La caractérisation structurale, comprenant notamment l’analyse par la diffraction des rayons X (DRX), la microanalyse (EPMA), la spectroscopie des photoélecrons X (XPS) et la microscopie électronique à balayage (MEB).

– La caractérisation électrique, par les mesures de l’effet Hall, et de la conductivité électrique en fonction de la température

– La caractérisation optique par la mesure de l’absorption et la transmission optiques en fonction de la longueur d’onde.

La simulation est un outil indispensable pour nos études, ceci est établi par le biais de la modélisation sous l’environnement COMSOL multipysics.